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參數資料
| 型號： | GS88218BD-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 9/37頁 |
| 文件大小： | 751K |
| 代理商： | GS88218BD-300 |
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GS88218/36BB/D-333/300/250/200/150
Rev: 1.02 10/2004
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
9/37
2002, GSI Technology
Mode Pin Functions
Note:
There pull-down device on the ZZ pin, so input pin can be unconnected and the chip will operate in the default states as specified in the above
tables.
Burst Counter Sequences
BPR 1999.05.18
Mode Name
Pin Name
State
L
H
L or NC
Function
Linear Burst
Interleaved Burst
Active
Standby, I
DD
= I
SB
Burst Order Control
LBO
Power Down Control
ZZ
H
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Linear Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
1st address
00
01
10
11
2nd address
01
10
11
00
3rd address
10
11
00
01
4th address
11
00
01
10
Interleaved Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
1st address
00
01
10
11
2nd address
01
00
11
10
3rd address
10
11
00
01
4th address
11
10
01
00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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