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參數資料
| 型號： | GS88236AB-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數： | 6/38頁 |
| 文件大小： | 744K |
| 代理商： | GS88236AB-200 |
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GS88218/36AB/D-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 11/2004
6/38
2001, GSI Technology
GS88218/36 BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
PE
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
9th Bit Enable; active low
Linear Burst Order mode; active low
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
—
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
—
Must Connect Low
SCD
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88236AB-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-225 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-225I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AB-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88236CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) SYNCH BURST , SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS88236CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
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