- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385342 > GS88236AD-225 (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS88236AD-225 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 16/38頁 |
| 文件大小： | 744K |
| 代理商： | GS88236AD-225 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
GS88218/36AB/D-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 11/2004
16/38
2001, GSI Technology
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
= 2.5 V)
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
6
7
pF
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DD
/2
V
DDQ
/2
Fig. 1
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
3.
50% tKC
V
SS
–
2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
50% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
DQ
V
DDQ/2
50
30pF
*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88236AD-225I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AD-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236AD-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-150IV | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-150V | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88236CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) SYNCH BURST , SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS88236CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。