- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385343 > GS88236BB-250I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS88236BB-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FPBGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/37頁(yè) |
| 文件大小： | 751K |
| 代理商： | GS88236BB-250I |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)當(dāng)前第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)
GS88218/36BB/D-333/300/250/200/150
Rev: 1.02 10/2004
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/37
2002, GSI Technology
Notes:
1.
2.
These parameters are sampled and are not 100% tested.
ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-333
-300
-250
-200
-150
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
3.0
—
3.3
—
4.0
—
5.0
—
6.7
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
2.5
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Setup time
tS
1.0
—
1.0
—
1.2
—
1.4
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.1
—
0.1
—
0.2
—
0.4
—
0.5
—
ns
Flow
Through
Clock Cycle Time
tKC
4.5
—
5.0
—
5.5
—
6.5
—
7.5
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
4.5
—
5.0
—
5.5
—
6.5
—
7.5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Setup time
tS
1.3
—
1.4
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.3
—
0.4
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.0
—
1.0
—
1.3
—
1.3
—
1.5
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.2
—
1.2
—
1.5
—
1.5
—
1.7
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ
1
1.5
2.5
1.5
2.5
1.5
2.5
1.5
3.0
1.5
3.0
ns
G to Output Valid
tOE
—
2.5
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
G to output in Low-Z
tOLZ
1
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ
1
—
2.5
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
ZZ setup time
tZZS
2
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH
2
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88236BB-300 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236BB-300I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236BB-333 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236BB-333I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88237AB-250I | 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88236CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) SYNCH BURST , SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS88236CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。