- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385343 > GS88236BB-300 (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS88236BB-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | FPBGA-119 |
| 文件頁數： | 18/37頁 |
| 文件大小： | 751K |
| 代理商： | GS88236BB-300 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
GS88218/36BB/D-333/300/250/200/150
Rev: 1.02 10/2004
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
18/37
2002, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/
x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
250
40
270
40
230
35
250
35
200
30
220
30
170
25
190
25
140
20
160
20
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
205
25
225
25
185
25
205
25
160
25
180
25
140
20
160
20
130
15
150
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
230
20
250
20
210
20
230
20
185
15
205
15
155
15
175
15
130
10
150
10
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
185
15
205
15
170
15
190
15
145
15
165
15
130
10
150
10
120
8
140
8
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Flow
Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
95
100
90
95
85
90
75
80
60
65
mA
Flow
Through
I
DD
65
60
60
65
60
65
50
55
50
55
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88236BB-300I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236BB-333 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88236BB-333I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88237AB-250I | 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88237BB-200IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88236CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) SYNCH BURST , SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS88236CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。