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參數資料
| 型號： | GS88237AB-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2 ns, PBGA119 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數： | 14/28頁 |
| 文件大小： | 566K |
| 代理商： | GS88237AB-250I |
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GS88237AB-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 11/2004
14/28
2002, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
SCD and ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237BB-200IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-200V | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-250IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BB-200 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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