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參數資料
| 型號： | GS88237BD-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.2 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 13/29頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | GS88237BD-300 |
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GS88237BB/D-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
13/29
2002, GSI Technology
Operating Currents
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
-200
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
3.3 V
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
380
55
390
55
345
50
355
50
290
40
300
40
240
30
250
30
mA
Operating
Current
2.5 V
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
380
55
390
55
345
05
355
50
290
40
300
40
240
30
250
30
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
85
90
80
85
85
90
75
80
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237BD-300I | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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