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HERA806G C0G

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HERA806G C0G
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
56232
Taiwan Semiconductor
TO-220AB-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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HERA806G C0G 技術(shù)參數(shù)

HER303-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1,200 HER102-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 HEP-600C-48 功能描述:O/P +57.6V10.5A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 HEP-600C-24 功能描述:O/P +28.8V21A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 HEP-600C-12 功能描述:O/P +14.4V35A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 HERAF1008G C0G HERAF1601G C0G HERAF1602G C0G HERAF1603G C0G HERAF1604G C0G HERAF1605G C0G HERAF1606G C0G HERAF801G C0G HERAF802G C0G HERAF803G C0G HERAF804G C0G HERAF805G C0G HERAF806G C0G HERAF807G C0G HERAF808G C0G HERF1001G C0G HERF1002G C0G HERF1003G C0G