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HM65V8512LTT-15

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  • HM65V8512LTT-15
    HM65V8512LTT-15

    HM65V8512LTT-15

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 制造商全稱
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  • 功能描述
  • x8 Pseudo-Static RAM
HM65V8512LTT-15 技術參數
  • HM65-H4R0LFTR13 功能描述:4μH Unshielded Wirewound Inductor 8A 8 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM65 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:4μH 容差:±20% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 130°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.531" 長 x 0.492" 寬(13.50mm x 12.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.220"(5.60mm) 標準包裝:1 HM65-H1R8LFTR13 功能描述:1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 11.5A 3.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM65 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.8μH 容差:±20% 額定電流:11.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):3.4 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 130°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.531" 長 x 0.492" 寬(13.50mm x 12.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.220"(5.60mm) 標準包裝:1 HM65-8R2LFTR13 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 4.5A 11.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM65 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:4.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):11.4 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 130°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.531" 長 x 0.492" 寬(13.50mm x 12.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.220"(5.60mm) 標準包裝:1 HM6098FNL 功能描述:MDL SIN 1GPP 1:1 SMT 制造商:pulse electronics corporation 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 HM5149NL 功能描述:MDL SIN 1GD 1:1 SMT 制造商:pulse electronics corporation 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 HM66-106R8LFTR7 HM66-15100LFTR7 HM66-15150LFTR7 HM66-151R5LFTR7 HM66-15220LFTR7 HM66-152R2LFTR7 HM66-15330LFTR7 HM66-153R3LFTR7 HM66-154R7LFTR7 HM66-156R8LFTR7 HM66-20100LFTR13 HM66-20120LFTR13 HM66-20150LFTR13 HM66-20180LFTR13 HM66-201R0LFTR13 HM66-20220LFTR13 HM66-20270LFTR13 HM66-202R2LFTR13
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