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HYMD512646CP8J-D43

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  • HYMD512646CP8J-D43
    HYMD512646CP8J-D43

    HYMD512646CP8J-D43

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • Hynix Original

  • 標準封裝

  • 2011

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
HYMD512646CP8J-D43 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • HYNIX
  • 制造商全稱
  • Hynix Semiconductor
  • 功能描述
  • 184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs
HYMD512646CP8J-D43 技術參數
  • HYI39S128800FE-7 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM HYI25D512160CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11 HZ0402A152R-10 HZ0402A182R-10 HZ0402A601R-00 HZ0402A601R-10 HZ0402B102R-10 HZ0402C102R-10 HZ0402C601R-10
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