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BD00C0AWFP-E2

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功能描述
低壓差穩壓器 - LDO LDO REG 5PIN 3V-15V 1A
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
最大輸入電壓
36 V
輸出電壓
1.4 V to 20.5 V
回動電壓（最大值）
307 mV
輸出電流
1 A
負載調節
0.3 %
輸出端數量
輸出類型
Fixed
最大工作溫度
+ 125 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
VQFN-20

BD00C0AWFP-E2 技術參數

BD00C0AWFP-CE2 功能描述:35V VOLTAGE RESISTANCE 1A LDO RE 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q100 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售輸出配置:正輸出類型:可調式穩壓器數:1 電壓 - 輸入（最大值）:26.5V 電壓 - 輸出（最小值/固定）:1V 電壓 - 輸出（最大值）:15V 壓降（最大值）:0.5V @ 500mA 電流 - 輸出:1A 電流 - 電源（最大值）:50μA PSRR:55dB（120Hz）控制特性:使能保護功能:過流，超溫工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應商器件封裝:TO-252-5 標準包裝:1 BD00C0AWCP-V5E2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: BCY79-X 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCY79-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCY79-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BD00GA5WEFJ-E2 BD00GC0MEFJ-LBH2 BD00GC0MEFJ-ME2 BD00GC0WEFJ-E2 BD00HA3MEFJ-LBH2 BD00HA3MEFJ-ME2 BD00HA3WEFJ-E2 BD00HA5MEFJ-ME2 BD00HA5WEFJ-E2 BD00HC0MEFJ-ME2 BD00HC0WEFJ-E2 BD00HC5MEFJ-LBH2 BD00HC5MEFJ-ME2 BD00HC5WEFJ-E2 BD00IA5MEFJ-LBH2 BD00IA5MEFJ-ME2 BD00IA5WEFJ-E2 BD00IC0MEFJ-LBH2