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HIP2101IBZ

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功能描述
功率驅動器IC HIP2101IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR
RoHS
否
制造商
Micrel
產品
MOSFET Gate Drivers
類型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時間
下降時間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube

HIP2101IBZ 技術參數

HIP2101IBT 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP2101IB 功能描述:功率驅動器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2101EIBZT 功能描述:功率驅動器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2101EIBZ 功能描述:功率驅動器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2101EIBT 功能描述:IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP2101IRZT HIP2103_4MBEVAL1Z HIP2103-4DEMO1Z HIP2103-4DEMO2Z HIP2103DBEVAL1Z HIP2103FRTAAZ HIP2103FRTAAZ-T HIP2103FRTAAZ-T7A HIP2104DBEVAL1Z HIP2104FRAANZ HIP2104FRAANZ-T HIP2104FRAANZ-T7A HIP2120FRTAZ HIP2120FRTAZ-T HIP2120FRTBZ HIP2120FRTBZ-T HIP2121FRTAZ HIP2121FRTAZ-T