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HIP6602BCR-T

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HIP6602BCR-T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

HIP6602BCR-T PDF下載

功能描述
IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關
系列
-
標準包裝
50
系列
-
配置
低端
輸入類型
非反相
延遲時間
40ns
電流 - 峰
9A
配置數
1
輸出數
1
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
-
電源電壓
4.5 V ~ 35 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA
供應商設備封裝
TO-263
包裝
管件

HIP6602BCR-T 技術參數

HIP6602BCR 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6602BCBZ-T 功能描述:功率驅動器IC LD VER OF HI6602BCB- RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCBZ 功能描述:功率驅動器IC LD VER OF HIP6602BCB RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCB-T 功能描述:IC DRIVER MOSFET QUAD 14-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6602BCB 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6603BECB-T HIP6603BECBZ HIP6603BECBZ-T HIP6604BCR HIP6604BCR-T HIP6604BCRZ HIP6604BCRZ-T HIP9011AB HIP9011ABT HIP9011ABZ HIP9011ABZT HIP9011EVAL1Z HIR11-21C/L11/TR8 HIR16-213C/L423/TR8 HIR19-21C/L11/TR8 HIR204 HIR204/H0 HIR204C