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參數資料
| 型號： | H11A817B300W |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 中文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | DIP-4 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 496K |
| 代理商： | H11A817B300W |
PACKAGE
4/24/03
Page 1 of 9
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
4-PIN PHOTOTRANSISTOR
OPTOCOUPLERS
H11AA814 SERIES
H11A617 SERIES
H11A817 SERIES
H11AA814 SCHEMATIC
H11A617 & H11A817 SCHEMATIC
DESCRIPTION
The H11AA814 Series consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes,
connected in inverse parallel, driving a single silicon phototransistor in a 4-pin
dual in-line package.
The H11A617 and H11A817 Series consists of a gallium arsenide infrared
emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.
FEATURES
Compact 4-pin package
Current transfer ratio in selected groups:
H11AA814:
20-300%
H11AA814A: 50-150%
H11A617A:
40%-80%
H11A617B:
63%-125%
H11A617C:
100%-200%
H11A617D:
160%-320%
H11A817:
H11A817A: 80-160%
H11A817B: 130-260%
H11A817C: 200-400%
H11A817D: 300-600%
50-600%
Minimum BV
CEO
of 70V guaranteed
APPLICATIONS
H11AA814 Series
AC line monitor
Unknown polarity DC sensor
Telephone line interface
H11A617 and H11A817 Series
Power supply regulators
Digital logic inputs
Microprocessor inputs
4
1
1
2
4
3 EMITTER
COLLECTOR
1
2
4
3 EMITTER
COLLECTOR
ANODE
CATHODE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11A817B3S | Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 |
| H11A817B3SD | Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 |
| H11A817BS | Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-CFP -55 to 125 |
| H11A817BW | 4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11A817.3SD | 4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| H11A817B3S | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP4 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11A817B3SD | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP4 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11A817BS | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP4 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11A817BSD | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP4 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11A817BW | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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