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參數資料
| 型號： | H11D1Z |
| 英文描述： | Optoelectronic |
| 中文描述： | 光電 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | H11D1Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11D2Z | Optoelectronic |
| H11D3Z | Optoelectronic |
| H11D3 | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11D3300 | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11D3300W | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| H11D2 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 HV Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D2.300-02 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| H11D2_Q | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 DIP-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D2300 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D2300W | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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