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參數資料
型號: H11F2
廠商: ISOCOM COMPONENTS LTD
元件分類: 光電耦合器
英文描述: Photon Coupled Bilateral Analog FET(輸出擊穿電壓±30V的光隔離器(由紅外發光二極管+雙向對稱光檢測器組成))
中文描述: 1 CHANNEL FET OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝: PLASTIC, DIP-6
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 62K
代理商: H11F2
DB91018-AAS/A3
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITION
Input
Forward Voltage (V
F
)
Reverse Voltage (V
R
)
Reverse Current (I
R
)
1.1
1.75
V
V
μ
A
I
F
= 16mA
I
R
= 10
μ
A
V
R
= 5V
5
10
Output
(either
polarity)
Breakdown Voltage - V(
BR
)
46
(Note 2)
H11F1, H11F2
H11F3
Off-state Dark Current - I
46
30
15
V
V
nA
I
46
=
10μ
A,I
F
= 0
I
46
=
10μ
A,I
F
= 0
V
46
=
15
V, I
F
= 0,
T
A
= 25°C
V
46
=
15
V, I
F
= 0,
T
A
= 100°C
V
46
=
15
V, I
= 0
V
=
0
, I
F
= 0,
f = 1 MHz
50
50
μ
A
Off-state Resistance - r
46
Capacitance - C
46
300
Μ
pF
15
Coupled
On-state Resistance - r
46
(Note 2)
H11F1
H11F2
H11F3
On-state Resistance - r
64
(Note 2)
H11F1
H11F2
H11F3
200
330
470
I
F
= 16mA, I
46
=
100μ
A
200
330
470
I
F
= 16mA, I
64
=
100μ
A
Input to Output Isolation Voltage V
ISO
5300
7500
10
11
V
RMS
V
PK
pF
See note 1
See note 1
V
IO
= 500V (note 1)
V
IO
= 0, f =1MHz
Input-output Isolation Resistance R
ISO
Input-output Capacitance
Cf
2
Turn-on Time
Turn-off Time
Resistance, non-linearity and asymmetry
ton
toff
25
25
0.1
μ
s
μ
s
%
I
F
= 16mA, V
46
= 5V,
R
= 50
I
F
= 16mA, f = 1kHz
I
46
=
25μ
A RMS
7/12/00
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( T
A
= 25°C Unless otherwise noted )
Note 1
Note 2
Measured with input leads shorted together and output leads shorted together.
Special Selections are available on request. Please consult the factory.
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PDF描述
H11F3 Photon Coupled Bilateral Analog FET(輸出擊穿電壓±15V的光隔離器(由紅外發光二極管+雙向對稱光檢測器組成))
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H11G2X HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR
H11G3X HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR
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