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參數(shù)資料
| 型號： | H5N2004DS |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1372|MAR.20.01|58K |
| 中文描述： | 技術(shù)資料|腺- 208 - 1372 | MAR.20.01 | 5.8萬 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | H5N2004DS |
H5N2004DL, H5N2004DS
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1372 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance: R
DS(on)
= 0.38 typ.
Low leakage current: IDSS = 1 μA max (at VDS = 200 V)
High speed switching: tf = 10 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 100 V, ID = 4 A)
Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 160 V, VGS = 10 V, ID = 8 A)
Avalanche ratings
Outline
12
3
4
4
12
3
DPAK-2
D
G
S
H5N2004DL
H5N2004DS
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| H5N2005DSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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