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參數資料
型號: HAT2165N-EL-E
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 55A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 毫歐 @ 27.5A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5180pF @ 10V
功率 - 最大: 30W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應商設備封裝: 8-LFPAK-iV
包裝: 帶卷 (TR)
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