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參數資料
| 型號： | HAT2166H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | HAT2166H |
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 1 of 10
HAT2166H
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
REJ03G0005-0500Z
Rev.5.00
Apr.09.2003
Features
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 2.9 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
LFPAK
1234
5
1, 2, 3 Source
4 Gate
5 Drain
G
D
S S S
1 2
4
3
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HAT2166H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2167H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2167H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2167N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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