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參數(shù)資料
型號: HAT2168N-EL-E
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.2 毫歐 @ 15A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1730pF @ 10V
功率 - 最大: 15W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-LFPAK-iV
包裝: 帶卷 (TR)
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