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參數資料
| 型號： | HAT2169N |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | HAT2169N |
Rev.0.01, May.29.2005, page 1 of 3
HAT2169N
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Preliminary
Rev.0.01
May.29.2005
Features
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 3.1 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
LFPAK-i
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
G
D
S S S
1 2
4
3
5
D
6
D
7
D
8
8(D)
7(D)
6(D)
5(D)
1(S)
2(S)
3(S)
4(G)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C/W
°
C
°
C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-C
Tch
Tstg
Ratings
40
±
20
50
200
50
30
72
30
4.17
150
– 55 to + 150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to Case Thermal Resistance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
3. Tc = 25
°
C
Note1
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