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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HBH2X1M |
| 廠商： | Hanamicron co.,Ltd. |
| 英文描述： | Bluetooth V2.0 + EDR Class 2 Module |
| 中文描述： | 藍(lán)牙2.0 EDR的第2類模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/16頁(yè) |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | HBH2X1M |
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HBH2X 1M
Bluetooth V 2.0 + EDR Class 2 Module
Data Book
www.hanamicron.co.kr
10 page / 16 pages
2.3 RF Charac teristic s
Transmitter
Specification
Condition
Min
Typ
Max
Unit
Output power
Normal
-6
2
4
dBm
Power density
Normal
4
dBm
Power control
Normal
2
8
dBm
Frequency range
Normal
2400
2483.5
MHz
20dB bandwidth for modulated carrier
Normal
850
1000
KHz
Adjacent channel power
±2MHz
±3MHz
±4MHz
-20
-40
-40
dBm
Modulation Characteristics
Δ
f1avg
Δ
f2max
Δ
f2avg /
Δ
f1avg
140
115
175
80
KHz
KHz
%
Initial carrier frequency tolerance
Normal
-30
+30
KHz
Carrier frequency Drift
One slot packet(DH1)
Three slot packet(DH3)
Five slot packet(DH5)
-25
-40
-40
25
40
40
kHz
Transc eiver
Specification
Condition
Min
Typ
Max
Unit
Out of band spurious emissions
30MHz ~ 1GHz
1GHz ~12.75GHz
1.8GHz ~5.1GHz
5.1GHz ~5.3GHz
-36
-30
-47
-47
dBm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBL2A | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| HBL2B | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| HBL2D | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| HBL2G | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| HBL2J | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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