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參數資料
| 型號： | HCT800 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 150V V(BR)DSS | 750MA I(D) | LLCC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣|互補| 150伏五（巴西）直| 750mA電流（丁）| LLCC |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | HCT800 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCT801 | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 90V V(BR)DSS | LLCC |
| HCT810 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(D) | LLCC |
| HCT9046 | PLL with bandgap controlled VCO |
| HCTL-1000 | Receptacle With A Standard Tail |
| HCTL-2022 | Quadrature Decoder/Counter Interface ICs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HCT801 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 90V V(BR)DSS | LLCC |
| HCT802 | 功能描述:MOSFET DEM Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HCT802TX | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| HCT802TXV | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| HCT810 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(D) | LLCC |
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