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參數資料
型號: HDBS104G
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge High Efficient Rectifier 50 to 1000 Volts
中文描述: 1 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝: SDB-1, 4 PIN
文件頁數: 2/2頁
文件大小: 121K
代理商: HDBS104G
FIG.1- REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC AND TEST CIRCUIT DIAGRAM
50
NONINDUCTIVE
NON
INDUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE 1)
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
DUT
(+)
50Vdc
(approx)
(-)
NOTES: 1. Rise Time=7ns max. Input Impedance=
1 megohm 22pf
2. Rise Time=10ns max. Sourse Impedance=
50 ohms
(-)
(+)
10
NONINDUCTIVE
-1.0A
-0.25A
0
+0.5A
trr
1cm
SET TIME BASE FOR
5/ 10ns/ cm
FIG.2- MAXIMUM FORWARD
CURRENT DERATING CURVE
FIG.5- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE
CURRENT
P
1
2
5
10
20
100
50
10
0
15
20
30
25
35
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
FIG.4- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
I
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1.0
10
FORWARD VOLTAGE. (V)
Tj=25 C
0
HB
S
11~D
S
14
HB
S
15G
HDB
S
106G~HDB
S
107G
FIG.6- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
J
.1
.5
1
5
2
10
20
50
100 200
500
10
0
20
30
40
50
60
70
REVERSE VOLTAGE. (V)
Tj=25 C
0
HDB
S
101G~HDB
S
105G
HDB
S
106G~HDB
S
107G
FIG.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
I
0
20
40
60
80
100
120
0.1
1.0
10
100
1000
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE. (%)
Tj=25 C
0
Tj=125 C
0
A
20
40
60
80
100
120
140
150
0
0.5
1.0
AMBIENT TEMPERATURE. ( C)
o
60Hz RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
Copper Pauls
.51" x .51"
(13mm x 13mm)
.06" (1.5mm)
PCB
M C C
www.
mc c semi
.c om
HDBS101G thru HDBS107G
V ersion: 3 2003/01/30
相關PDF資料
PDF描述
HDBS105G 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge High Efficient Rectifier 50 to 1000 Volts
HDBS106G 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge High Efficient Rectifier 50 to 1000 Volts
HDBS107G 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge High Efficient Rectifier 50 to 1000 Volts
HDF0505 3 Watt HD Series
HDF0505S 3 Watt HD Series
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參數描述
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