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參數資料
型號: HE7601SG
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發射二極管)
中文描述: 發動器紅外線發光二極管(紅外發射二極管的GaAIAs)
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 20K
代理商: HE7601SG
HE7601SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
Description
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.
Features
High efficiency and high output power
1
Internal Circuit
Package Type
HE7601SG: SG1
2
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C)
Item
Symbol
Rated Value
Units
Forward current
I
F
V
R
Topr
250
mA
Reverse voltage
3
V
Operating temperature
–20 to +60
°C
Storage temperature
Tstg
–40 to +90
°C
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