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參數(shù)資料
型號: HEF40106BTD-T
元件分類: 電容
英文描述: CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
中文描述: 陶瓷芯片/mil-prf-55681
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 84K
代理商: HEF40106BTD-T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HEF4011B Quadruple 2-input NAND gate
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HEF4011BTD Quad 2-input NAND Gate
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參數(shù)描述
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HEF40106BTT,112 功能描述:變換器 HEX SCHMITT TRIGGER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
HEF40106BTT,118 功能描述:變換器 HEX SCHMITT TRIGGER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
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