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參數資料
| 型號： | HFA3096 |
| 廠商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| 中文描述： | 超高頻晶體管陣列 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | HFA3096 |
3-447
HFA3046, HFA3096,
HFA3127, HFA3128
Ultra High Frequency Transistor Arrays
The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are
Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated
from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1
process. Each array consists of five dielectrically isolated
transistors on a common monolithic substrate. The NPN
transistors exhibit a f
T
of 8GHz while the PNP transistors
provide a f
T
of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB),
making them ideal for high frequency amplifier and mixer
applications.
The HFA3046 and HFA3127 are all NPN arrays while the
HFA3128 has all PNP transistors. The HFA3096 is an NPN-
PNP combination. Access is provided to each of the
terminals for the individual transistors for maximum
application flexibility. Monolithic construction of these
transistor arrays provides close electrical and thermal
matching of the five transistors.
For PSPICE models, please request AnswerFAX document
number 663046. Intersil also provides an Application Note
illustrating the use of these devices as RF amplifiers
(request AnswerFAX document 99315).
Features
NPN Transistor (f
T
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
NPN Current Gain (h
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
NPN Early Voltage (V
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
PNP Transistor (f
T
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz
PNP Current Gain (h
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
PNP Early Voltage (V
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Noise Figure (50
) at 1.0GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
Collector-to-Collector Leakage. . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA
Complete Isolation Between Transistors
Pin Compatible with Industry Standard 3XXX Series
Arrays
Applications
VHF/UHF Amplifiers
VHF/UHF Mixers
IF Converters
Synchronous Detectors
Ordering Information
PART NUMBER
TEMP.
RANGE (
o
C)
PACKAGE
PKG.
NO.
HFA3046B
-55 to 125
14 Ld SOIC
M14.15
HFA3096B
-55 to 125
16 Ld SOIC
M16.15
HFA3127B
-55 to 125
16 Ld SOIC
M16.15
HFA3128B
-55 to 125
16 Ld SOIC
M16.15
Pinouts
HFA3046
TOP VIEW
HFA3096
TOP VIEW
HFA3127
TOP VIEW
HFA3128
TOP VIEW
1
2
3
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1
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NC
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Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
NC
Q
5
Data Sheet
October 1998
File Number
3076.10
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
Intersil Corporation 1999
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HFA3128B | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3127B | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3046B | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3096B | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3134IHZ96 | Ultra High Frequency Matched Pair Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| HFA3096BZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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