| 型號： |
HGT1S10N120BNST |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
1/8頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
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| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
IGBT TO-3PN Package
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| IGBT 類型： |
NPT
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： |
1200V
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| Vge, Ic時的最大Vce（開）： |
2.7V @ 15V，10A
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： |
35A
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| 功率 - 最大： |
298W
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| 輸入類型： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-263AB
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1610 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
HGT1S10N120BNSTDKR
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