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參數(shù)資料
型號(hào): HGT1S12N60A4DS
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 0K
描述: IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK
產(chǎn)品目錄繪圖: IGBT TO-263AB Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開): 2.7V @ 15V,12A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 54A
功率 - 最大: 167W
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1610 (CN2011-ZH PDF)
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