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參數資料
| 型號： | HGT1S20N36G3VLS |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| 中文描述： | 37.7 A, 355 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | HGT1S20N36G3VLS |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS Rev. C1
Specifications HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS
Test Circuits
FIGURE 16. USE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
R
G
G
C
E
V
DD
2.3mH
DUT
R
GEN
= 25
5V
R
GEN
= 50
+
-
V
CC
300V
DUT
C
G
E
R
GE
= 50
1/R
G
= 1/R
GEN
+ 1/R
GE
L = 550
μ
H
R
L
10V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTP20N36G3VL | 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| HGT5A40N60A4D | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGTD10N40F1S | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
| HGTD10N50F1 | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
| HGTD10N50F1S | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HGT1S20N60A4S9A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V SMPS SERIES NCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGT1S20N60B3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGT1S20N60B3S9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AB |
| HGT1S20N60C3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-262AA |
| HGT1S20N60C3R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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