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參數(shù)資料
型號: HGTD1N120BNS9A
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 0K
描述: IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝: 2,500
IGBT 類型: NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 1200V
Vge, Ic時的最大Vce(開): 2.9V @ 15V,1A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 5.3A
功率 - 最大: 60W
輸入類型: 標準
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252AA
包裝: 帶卷 (TR)
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