型號: | HM511002ZP-8S |
英文描述: | x1 Static Column Mode DRAM |
中文描述: | x1靜態(tài)列模式DRAM |
文件頁數(shù): | 1/26頁 |
文件大小: | 1217K |
代理商: | HM511002ZP-8S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HM5112805FTD-5 | DRAM|EDO|16MX8|CMOS|TSOP|32PIN|PLASTIC |
HM5112805LTD-6 | x8 EDO Page Mode DRAM |
HM5112805TD-5 | x8 EDO Page Mode DRAM |
HM5112805TD-6 | x8 EDO Page Mode DRAM |
HM5113165FLTD-6 | x16 EDO Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HM51100J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 10uH 5% 1KHz 5.4A 17mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 10uH 5% 1KHz 5.4A AXL |
HM51-100JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
HM51100K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 10uH 10% 1KHz 5.4A AXL |
HM51-100K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 10uH 10% 1KHz 5.4A AXL |
HM51-100KLF | 功能描述:MINIATURE POWER INDUCTORS AXIAL RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:HM51 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |