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參數資料
| 型號： | HM5113805TD-5 |
| 英文描述： | x8 EDO Page Mode DRAM |
| 中文描述： | x8 EDO公司頁面模式的DRAM |
| 文件頁數： | 1/26頁 |
| 文件大小： | 1217K |
| 代理商： | HM5113805TD-5 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5113805TD-6 | x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-6 | x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-7 | x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-8 | x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100J-10 | x1 Fast Page Mode DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HM5113805TD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM51-150JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51150K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 15uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-150K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 15uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-150KLF | 功能描述:MINIATURE POWER INDUCTORS AXIAL RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM51 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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