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參數資料
| 型號： | HM5225165BLTT-B6 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數： | 1/63頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | HM5225165BLTT-B6 |
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Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
HM5225165B-75/A6/B6
HM5225805B-75/A6/B6
HM5225405B-75/A6/B6
256M LVTTL interface SDRAM
133 MHz/100 MHz
4-Mword
×
16-bit
×
4-bank/8-Mword
×
8-bit
×
4-bank
/16-Mword
×
4-bit
×
4-bank
PC/133, PC/100 SDRAM
E0082H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1073B (Z))
Jan. 31, 2001
Description
The HM5225165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word
×
16-bit
×
4 bank. The HM5225805B
is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word
×
8-bit
×
4 bank. The HM5225405B is a 256-Mbit
SDRAM organized as 16777216-word
×
4-bit
×
4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge
of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.
Features
3.3 V power supply
Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)
LVTTL interface
Single pulsed
RAS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
Programmable
CAS
latency: 2/3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5225805BTT-B6 | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805BLTT-B6 | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225405BTT-B6 | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225405BLTT-B6 | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805BTT-75 | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HM5225165BTT-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225165BTT-A6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225165BTT-B6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225325F-B60 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
| HM5225325FBP-B60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
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