- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370623 > HM5425801B (Hitachi,Ltd.) 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | HM5425801B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的 |
| 文件頁數： | 1/62頁 |
| 文件大小： | 1016K |
| 代理商： | HM5425801B |
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Preliminary: The specifications of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specifications.
HM5425161B Series
HM5425801B Series
HM5425401B Series
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM
143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz
4-Mword
×
16-bit
×
4-bank/8-Mword
×
8-bit
×
4-bank/
16-Mword
×
4-bit
×
4-bank
ADE-203-1077 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Jun. 28, 1999
Description
The HM5425161B, the HM5425801B and the HM5425401B are the Double Data Rate (DDR) SDRAM
devices. Read and write operations are performed at the cross points of the CLK and the
CLK
. This high
speed data transfer is realized by the 2-bit prefetch piplined architecture. Data strobe (DQS) both for read and
write are available for high speed and reliable data bus design. By setting extended mode resistor, the on-chip
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.
Features
JEDEC standard compatible devices
2.5 V power supply
SSTL-2 interface for all inputs and outputs
Clock frequency: 143 MHz/133 Mhz/125 MHz/100 MHz
Data inputs, outputs, and DM are synchronized with DQS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation
Programmable burst length: 2/4/8
Burst read stop capability
Programmable burst sequence
Sequential
Interleave
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-3 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-4 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LFP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LFP-3 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HM5425801BTT-10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801BTT-75A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801BTT-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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