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參數(shù)資料
型號: HM62256P-10
英文描述: x8 SRAM
中文描述: x8的SRAM
文件頁數(shù): 1/15頁
文件大小: 143K
代理商: HM62256P-10
HM62256B Series
32,768-word
×
8-bit High Speed CMOS Static RAM
ADE-203-135D (Z)
Rev. 4.0
Nov. 29, 1995
Description
The Hitachi HM62256B is a CMOS static RAM organized 32-kword
×
8-bit. It realizes higher
performance and low power consumption by employing 0.8
μ
m Hi-CMOS process technology. The
device, packaged in 8
×
14 mm TSOP, 8
×
13.4 mm TSOP with thickness of 1.2 mm, 450-mil SOP (foot
print pitch width), 600-mil plastic DIP, or 300-mil plastic DIP, is available for high density mounting. It
offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery back-up systems.
Features
High speed
Fast access time: 45/55/70/85 ns (max)
Low power
Standby: 1.0
μ
W (typ)
Operation: 25 mW (typ) (f = 1 MHz)
Single 5 V supply
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output
Three state output
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Capability of battery back up operation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM62256P-12 x8 SRAM
HM62256P-15 x8 SRAM
HM62256P-8 x8 SRAM
HM62256PI15 x8 SRAM
HM62256BLFP-4SLT x8 SRAM
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參數(shù)描述
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HM62256P-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
HM62256PI15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
HM62-2610100MLFTR 功能描述:POWER INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:HM62 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
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