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參數資料
| 型號： | HMC358MS8G |
| 廠商： | 美國訊泰微波有限公司上海代表處 |
| 英文描述： | MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 5.8 - 6.8 GHz |
| 中文描述： | MMIC VCO的瓦特/緩沖放大器，五月八日至六月8號吉赫 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | HMC358MS8G |
MICROWAVE CORPORATION
15 - 2
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V
15
HMC358MS8G
MMIC VCO w/ BUFFER
AMPLIFIER, 5.8 - 6.8 GHz
v02.0202
General Description
Features
Functional Diagram
The HMC358MS8G is a GaAs InGaP Hetero-
junction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO. The
HMC358MS8G integrates a resonator, negative
resistance device, varactor diode, and buffer
amplifier. The VCO’s phase noise performance is
excellent over temperature, shock, and process
due to the oscillator’s monolithic structure. Power
output is 11 dBm typical from a 3.0V supply volt-
age. The voltage controlled oscillator is packaged
in a low cost, surface mount 8 lead MSOP pack-
age with an exposed base for improved RF and
thermal performance.
Pout: +11 dBm
Phase Noise: -110 dBc/Hz @100 KHz
No External Resonator Needed
Single Supply: 3V @ 100 mA
15mm
2
MSOP8G SMT Package
Typical Applications
Low noise MMIC VCO w/Buffer Amplifier
for C-Band applications such as:
UNII & Pt. to Pt. Radios
802.11a & HiperLAN WLAN
VSAT Radios
Electrical Specifications,
T
A
= +25° C, Vcc = +3V
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Frequency Range
5.8 - 6.8
GHz
Power Output
8
11
dBm
SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset, Vtune= +5V @ RF Output
-110
dBc/Hz
Tune Voltage (Vtune)
0
10
V
Supply Current (Icc)
100
mA
Tune Port Leakage Current (Vtune= 10V)
10
μA
Output Return Loss
9
dB
Harmonics
2nd
3rd
-10
-20
dB
dB
Pulling (into a 2.0:1 VSWR)
10
MHz pp
Pushing @ Vtune= +3V
150
MHz/V
Frequency Drift Rate
0.8
MHz/°C
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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