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參數資料
| 型號： | HN7107CPL |
| 英文描述： | 針對國產 （英文資料） |
| 中文描述： | 針對國產（英文資料） |
| 文件頁數： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 879K |
| 代理商： | HN7107CPL |
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LCD/LED
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,
:210037
(TEL.): (86)-25-8562 8245
8562 8265
ADD.: RM. 1-702, NO. 10 BUILDING, YANYUHUATING, NO. 5 HEYAN ROAD, NANJING, CHINA
,
WEB:
WWW.HN-ELEC.COM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN7G01FE | Power Management Switch Applications |
| HN7G01FU | TOSHIBA Multi Chip Discrete Device |
| HN7G02FE | Power Management Switch Applications, Inverter Circuit |
| HN7G02FU | TOSHIBA Multi Chip Discrete Device |
| HN7G03FU | Power Management Switch Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HN79LZ120 | 制造商:CARCOR 功能描述: 制造商:CARRIER CORPORATION DIV C 功能描述: |
| HN7G01FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications |
| HN7G01FE-A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN7G01FE-A(TE85L,F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN7G01FU | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Multi Chip Discrete Device |
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