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參數資料
| 型號： | HSE11 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs Schottky Barrier Diode for SHF Mixer(用于SHF混頻器的肖特基勢壘二極管) |
| 中文描述： | 砷化鎵肖特基二極管混頻器的超高頻（用于超高頻混頻器的肖特基勢壘二極管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | HSE11 |
HSE11
GaAs Schottky Barrier Diode for SHF Mixer
ADE-208-162A (Z)
Rev. 1
Sep. 1994
Features
Low noise GaAs schottky.
Low capacitance. (C = 0.4pF max)
Ordering Information
Type No.
Mark
Package Code
HSE11
Cathode mark
ERP
Outline
1. Cathode
2. Anode
Cathode mark
1
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
V
R
I
F
I
FM
Tj
4.0
V
Forward current
50
mA
Peak forward current
150
mA
Junction temperature
125
°C
Lead temperature
T
l
*
Tstg
230
°C
Storage temperature
Note: Value at the nearest point from body for 10sec max. (one time)
–55 to +125
°C
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PDF描述 |
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參數描述 |
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