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參數(shù)資料
| 型號： | HUF76139S3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（丁）|對262AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 673K |
| 代理商： | HUF76139S3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76139S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUF76143S3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
| HUF76143S3ST | Delfino Microcontroller 179-BGA MICROSTAR -40 to 105 |
| HUF76145S3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
| HUF76145S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HUF76139S3S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76139S3ST | 功能描述:MOSFET USE 512-FDB8896 Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76139S3STK | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HUF76143P3 | 功能描述:MOSFET 75a 30V 0.0055 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76143S3 | 功能描述:MOSFET 75a 30V 0.0055 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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