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參數資料
| 型號： | HVM306 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Diode for Lowpass Circuit(低通電路的平面外延二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面二極管低通電路（低通電路的平面外延二極管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | HVM306 |
HVM306
Silicon Epitaxial Planar Diode for Lowpass Circuit
Preliminary
Rev. 1
Jun. 1992
Features
High capacitance ratio. (n = 10min)
Low series resistance.
Low cost.
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
Laser Mark
Package Code
HVM306
T9
MPAK
Pin Arrangement
1 Anode
2 Anode
3 Cathode
(Top View)
2
1
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
V
R
Tj
30
V
Junction temperature
125
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
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PDF描述 |
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