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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HX6228TBFT |
| 廠商： | Honeywell International Inc. |
| 英文描述： | 128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228 |
| 中文描述： | 128K的× 8靜態(tài)RAM的絕緣硅HX6228 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | HX6228TBFT |
HX6228
6
TAVAVR
Address Read Cycle Time
16
25
ns
TAVQV
Address Access Time
15
25
ns
TAXQX
Address Change to Output Invalid Time
12
3
ns
TSLQV
Chip Select Access Time
16
25
ns
TSLQX
Chip Select Output Enable Time
12
5
ns
TSHQZ
Chip Select Output Disable Time
5
10
ns
TEHQV
Chip Enable Access Time
16
25
ns
TEHQX
Chip Enable Output Enable Time
12
5
ns
TELQZ
Chip Enable Output Disable Time
6
10
ns
TGLQV
Output Enable Access Time
4
9
ns
TGLQX
Output Enable Output Enable Time
4
2
ns
TGHQZ
Output Enable Output Disable Time
4
9
ns
READ CYCLE AC TIMING CHARACTERISTICS (1)
(1) Test conditions: input switching levels VIL/VIH=0.5V/VDD-0.5V (CMOS), VIL/VIH=0V/3V (TTL), input rise and fall times <1 ns/V, input and
output timing reference levels shown in the Tester AC Timing Characteristics table, capacitive output loading C
>50 pF, or equivalent
capacitive output loading C
=5 pF for TSHQZ, TELQZ TGHQZ. For C
L
>50 pF, derate access times by 0.02 ns/pF (typical).
(2) Typical operating conditions: VDD=5.0 V, TA=25
°
C, pre-radiation.
(3) Worst case operating conditions: VDD=4.5 V to 5.5 V, -55
°
C to 125
°
C, post total dose at 25
°
C.
Worst Case (3)
HIGH
IMPEDANCE
NCS
NOE
DATA VALID
CE
T
AVAVR
T
AVQV
T
SLQV
T
AXQX
T
SLQX
T
SHQZ
T
EHQX
T
EHQV
T
GLQX
T
GLQV
T
GHQZ
T
ELQZ
ADDRESS
(NWE = high)
DATA OUT
Symbol
Parameter
Typical
(2)
-55 to 125
°
C
Min Max
Units
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HX6228TQFT | 128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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