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參數資料
| 型號： | HX6228TSFT |
| 廠商： | Honeywell International Inc. |
| 英文描述： | 128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228 |
| 中文描述： | 128K的× 8靜態RAM的絕緣硅HX6228 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | HX6228TSFT |
HX6228
7
WRITE CYCLE AC TIMING CHARACTERISTICS (1)
Symbol
Parameter
Typical
(2)
-55 to 125
°
C
Min Max
Units
Worst Case (3)
TAVAVW
Write Cycle Time
(4)
13
25
ns
TWLWH
Write Enable Write Pulse Width
9
20
ns
TSLWH
Chip Select to End of Write Time
12
20
ns
TDVWH
Data Valid to End of Write Time
9
15
ns
TAVWH
Address Valid to End of Write Time
10
20
ns
TWHDX
Data Hold Time after End of Write Time
0
0
ns
TAVWL
Address Valid Setup to Start of Write Time
0
0
ns
TWHAX
Address Valid Hold after End of Write Time
0
0
ns
TWLQZ
Write Enable to Output Disable Time
5
0
9
ns
TWHQX
Write Disable to Output Enable Time
12
5
ns
TWHWL
Write Recovery Time
4
5
ns
TEHWH
Chip Enable to End of Write Time
11
20
ns
(1) Test conditions: input switching levels VIL/VIH=0.5V/VDD-0.5V (CMOS), VIL/VIH=0V/3V (TTL), input rise and fall times <1 ns/V, input and
output timing reference levels shown in the Tester AC Timing Characteristics table, capacitive output loading >50 pF, or equivalent capacitive
load of 5 pF for TWLQZ.
(2) Typical operating conditions: VDD=5.0 V, TA=25
°
C, pre-radiation.
(3) Worst case operating conditions: VDD=4.5 V to 5.5 V, -55 to 125
°
C, post total dose at 25
°
C.
(4) TAVAVW = TWLWH + TWHWL.
ADDRESS
HIGH
IMPEDANCE
DATA OUT
NWE
DATA IN
DATA VALID
T
AVAVW
NCS
CE
T
AVWH
T
WLWH
T
AVWL
T
WLQZ
T
DVWH
T
WHQX
T
WHDX
T
SLWH
T
EHWH
T
WHAX
T
WHWL
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PDF描述 |
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參數描述 |
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