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參數(shù)資料
型號: HY29F080R-90
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40
封裝: REVERSE, TSOP-40
文件頁數(shù): 30/38頁
文件大?。?/td> 366K
代理商: HY29F080R-90
30
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
t
ST
V
CC
RESET#
Data
CE#
WE#
OE#
A[9]
A[6]
A[1]
A[0]
A[19:17]
V
ID
V
ID
SGA
X
SGA
Y
0x01
t
OE
t
ST
t
VLHT
t
VLHT
t
VLHT
t
OESP
t
WPP1
t
VLHT
t
ST
Group Protect Cycle
Protect Verify Cycle
Figure 20. Sector Group Protect Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F080T-12 x8 Flash EEPROM
HY29F080T-70 x8 Flash EEPROM
HY29F080T-90 x8 Flash EEPROM
HY29F400BT55 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT45 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HY29F080T12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080T-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080T-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080T-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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