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參數資料
型號: HY5DS113222FM-4
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512M(16Mx32) GDDR SDRAM
中文描述: 16M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝: 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁數: 1/30頁
文件大?。?/td> 431K
代理商: HY5DS113222FM-4
HY5DS113222FM(P)
512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM(P)
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sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.1 / Oct. 2004 1
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