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參數資料
型號: HY62256AT1-I
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 32Kx8bit CMOS SRAM
中文描述: 32Kx8bit CMOS SRAM的
文件頁數: 1/14頁
文件大小: 820K
代理商: HY62256AT1-I
HY62256A-(I) Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Description
The
HY62256A/HY62256A-I
is a high-speed, low
power and 32,786 x 8-bits
CMOS Static Random
Access Memory
fabricated using
Hyundai's high
performance CMOS
process technology. The
HY62256A/HY62256A-I
has a data retention mode
that guarantees data to
remain valid at the
minimum power supply
voltage of 2.0 volt. Using
the CMOS technology,
supply voltages from 2.0
to 5.5 volt has little effect
on supply current in the
data retention mode. The
HY62256A/HY62256A-I
is suitable for use in low
voltage operation and
battery back-up
application.
Features
·
Fully static operation and
Tri-state outputs
·
TTL compatible inputs
and outputs
·
Low power consumption
-2.0V(min.) data
retention
·
Standard pin
configuration
-28 pin 600 mil PDIP
-28 pin 330 mil SOP
-28 pin 8x13.4 mm
TSOP-1
(standard and reversed)
1 of 2
22/10/97 12:30
Data Sheet-sram/62256ald1
http://www.hea.com/hean2/sram/62256ald1.htm
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PDF描述
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