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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62CT08081E-DTE |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/12頁(yè) |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | HY62CT08081E-DTE |
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility
for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 04 / Apr. 2001 Hynix Semiconductor
HY62CT08081E
Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Document Title
32K x8 bit 5.0V Low Power Slow SRAM
Revision History
Revision No History Draft Date Remark
00 Initial Nov.01.2000 Preliminary
01 Marking Information Add Dec.05.2000 Preliminary
Revised
-
DC / AC Characteristics
-
AC Test Condition Add : 5pF Test Load
02 Revised Feb.13.2001 Final
-
Remove L-Part
-
Change LL-Part Isb1 Limit @E.T/I.T
: 15uA => 20uA
03 Revised Feb.21.2001 Final
-
Marking Information Change : SOP Type
04 Changed Logo Apr.30.2001 Final
-
HYUNDAI -> hynix
-
Marking Information Change
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62CT08081E-DTI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-E | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-I | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KF08802B | 1M x 8bit 2.7 ~ 3.6V Super low Power FCMOS Slow SRAM |
| HY62KF08802B-DD | 1M x 8bit 2.7 ~ 3.6V Super low Power FCMOS Slow SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62CT08081E-DTI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62CT08081E-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KF08401C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8|2.7~3.6V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
| HY62KF08401C-DI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Kx8bit full CMOS SRAM |
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