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參數(shù)資料
| 型號： | HY62UT08081E-DGE |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | QSW-REED,10MM,10W,SMD |
| 中文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | HY62UT08081E-DGE |
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility
for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 02 / Apr. 2001 Hynix Semiconductor
HY62K(U,V)T08081E
Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Document Title
32K x8 bit 2.7~3.3V / 3.0~3.6V / 2.7~3.6V Low Power Slow SRAM
Revision History
Revision No History Draft Date Remark
00 Initial Jan.20.2000 Final
Merged 3.0V/3.3V SPEC
01 Revised Feb.21.2001 Final
-
Marking Information Change : SOP Type
-
Voh Limit Change : 2.4V => 2.2V @2.7~3.6V
02 Changed Logo Apr.30.2001 Final
-
HYUNDAI -> hynix
-
Marking Information Change
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62UT08081E-DGI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62UT08081E-DPC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62UT08081E-DPE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62UT08081E-DPI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62UT08081E-DTC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62UT08081E-DGI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62UT08081E-DP10C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY62UT08081E-DP10E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY62UT08081E-DP10I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HY62UT08081E-DP70C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
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