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參數資料
| 型號： | HYB 5117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態隨機存儲器（200萬× 8位動態內存） |
| 文件頁數： | 1/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB 5117805BSJ-60 |
Semiconductor Group
1
1998-10-01
2 097 152 words by 8-bit organization
0 to 70
°
C operating temperature
Hyper Page Mode-EDO-operation
Performance:
Power dissipation:
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh
and test mode
All inputs, outputs and clocks fully TTL (5 V versions) and LV-TTL (3.3 V version)-compatible
2048 refresh cycles / 32 ms (2k-refresh)
Plastic Package: P-SOJ-28-3 400 mil
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
50
60
ns
CAS access time
13
15
ns
Access time from address
25
30
ns
Read/Write cycle time
84
104
ns
Hyper page mode (EDO) cycle time
20
25
ns
HYB 5117805
HYB 3117805
-50
-60
-50
-60
Power Supply
5
±
10%
440
3.3
±
0.3 V
288
Active
385
252
mW
TTL Standby
11
7.2
mW
CMOS Standby
5.5
3.6
mW
2M
×
8-Bit Dynamic RAM
2k Refresh
(Hyper Page Mode-EDO)
Advanced Information
HYB 5117805/BSJ-50/-60
HYB 3117805/BSJ-50/-60
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態 RAM(快速頁面模式)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB5117805BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB5118160BSJ50 | 制造商:SIEMENS 功能描述:* |
| HYB5118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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