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參數資料
| 型號： | HYB 514175BJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256k × 16-Bit Dynamic RAM(256k × 16位 動態 RAM) |
| 中文描述： | 256k × 16位動態隨機存儲器（256k × 16位動態內存） |
| 文件頁數： | 1/22頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | HYB 514175BJ-60 |
Semiconductor Group
1
1998-10-01
256k
×
16-Bit EDO-DRAM
Advanced Information
262 144 words by 16-bit organization
0 to 70
°
C operating temperature
Fast access and cycle time
RAS access time:
50 ns (-50 version)
55 ns (-55 version)
60 ns (-60 version)
CAS access time:
13 ns (-50 & -55 version)
15 ns (-60 version)
Cycle time:
89 ns (-50 version)
94 ns (-55 version)
104 ns (-60 version)
Hyper page mode (EDO) cycle time
20 ns (-50 & -55 version)
25 ns (-60 version)
High data rate
50 MHz (-50 & -55 version)
40 MHz (-60 version)
Single + 5 V (
±
10 %) supply with a built-in
V
BB
generator
Low Power dissipation
max. 1100 mW active (-50 version)
max. 1045 mW active (-55 version)
max. 935 mW active (-60 version)
Standby power dissipation
11 mW standby (TTL)
5.5 mW max. standby (CMOS)
Output unlatched at cycle end allows
two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify write,
CAS-before-RAS refresh, RAS-only
refresh, hidden-refresh and hyper page
(EDO) mode capability
2 CAS/1 WE control
All inputs and outputs TTL-compatible
512 refresh cycles/16 ms
Plastic Packages:
P-SOJ-40-1 400 mil width
HYB 514175BJ-50/-55/-60
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB514175BJ-50- | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-55 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-60 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJ-50 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB 514400BJ-50 | 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB514175BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| HYB514175BJL-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514175BJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| HYB514256AJL-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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